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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 35V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
3 V @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
30 Ohm
Basisproduktnummer:
J111
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
3 V @ 1 μA
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Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
30 Ohm
Basisproduktnummer:
J111
J111RLRAG
JFET N-Kanal 35 V 350 mW durch Loch TO-92 (TO-226)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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