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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH SOT23-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 0,5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Leistung - Max.:
225mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Basisproduktnummer:
BFR30
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 0,5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Leistung - Max.:
225mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Basisproduktnummer:
BFR30
BFR30LT1G
JFET N-Kanal 225 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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