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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 35V TO92-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
50 Ohm
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
50 Ohm
J112
JFET N-Kanal 35 V 350 mW durch Loch TO-92-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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