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SST4119-T1-E3
SST4119-T1-E3

SST4119-T1-E3

Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V bis 236

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
200 μA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2 V @ 1 nA
Leistung - Max.:
350 mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Basisproduktnummer:
SST4119
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
200 μA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-236
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2 V @ 1 nA
Leistung - Max.:
350 mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Basisproduktnummer:
SST4119
SST4119-T1-E3
JFET N-Kanal 40 V 350 mW Oberflächenhalter TO-236

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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