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SST174-T1-E3
SST174-T1-E3

SST174-T1-E3

Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V SOT23

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Vishay Siliconix
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
20 pF @ 0V
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
85 Ohm
Basisproduktnummer:
SST174
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
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5 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23
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Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
20 pF @ 0V
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
85 Ohm
Basisproduktnummer:
SST174
SST174-T1-E3
JFET P-Kanal 30 V 350 mW Oberflächenbefestigung SOT-23

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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