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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V SOT23

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
500 mV @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23 (TO-236AB)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Leistung - Max.:
250mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
100 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Basisproduktnummer:
PMBF4
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
500 mV @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23 (TO-236AB)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Leistung - Max.:
250mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
100 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Basisproduktnummer:
PMBF4
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
PMBF4393.215
JFET N-Kanal 40 V 250 mW Oberflächenbefestigung SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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