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Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: JFET N-CH 30V SOT23-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 20 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 20V
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
30 Ohm
Basisproduktnummer:
MLBF43
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 20 V
Mfr:
Einheitlich
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4 V @ 1 nA
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Betriebstemperatur:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 20V
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
30 Ohm
Basisproduktnummer:
MLBF43
Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen treffen:
JFET N-Kanal 30 V 350 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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