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BFR30.235

Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 10MA SOT23

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 0,5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23 (TO-236AB)
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Basisproduktnummer:
BFR30
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 0,5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23 (TO-236AB)
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Basisproduktnummer:
BFR30
BFR30.235
JFET N-Kanal 10 mA 250 mW Oberflächenbefestigung SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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