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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V SOT23-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Basisproduktnummer:
BSR58
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Basisproduktnummer:
BSR58
BSR58LT1G
JFET N-Kanal 40 V 350 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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