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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 35V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
Mfr:
Einheitlich
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Leistung - Max.:
310 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 12V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
2N5639
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
Mfr:
Einheitlich
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Leistung - Max.:
310 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 12V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
2N5639
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
2N5639RLRAG
JFET N-Kanal 35 V 310 mW durch Loch TO-92 (TO-226)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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