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Produktdetails

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Beschreibung: Trans GP JFET N-CH 25V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
500 mV @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Betriebstemperatur:
135°C (TJ)
Leistung - Max.:
310 mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Widerstand - RDS (an):
18 Ohm
Basisproduktnummer:
J110
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
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Betriebstemperatur:
135°C (TJ)
Leistung - Max.:
310 mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Widerstand - RDS (an):
18 Ohm
Basisproduktnummer:
J110
J110RLRA
JFET-N-Kanal 25 V 310 mW durch Loch TO-92 (TO-226)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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