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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 35V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
Leistung - Max.:
625 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
100 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
35 V
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
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Packung / Gehäuse:
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Leistung - Max.:
625 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
100 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
35 V
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
NTE469
JFET N-Kanal 35 V 625 mW durch Loch TO-92

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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