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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
500 mV @ 1 nA
Leistung - Max.:
360 mW
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
32pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
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500 mV @ 1 nA
Leistung - Max.:
360 mW
Mfr:
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Betriebstemperatur:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
32pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
NTE489
JFET P-Kanal 30 V 360 mW Durchsteckmontage TO-92

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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