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2N4858A
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V bis 18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 0,5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 10V (VGS)
Leistung - Max.:
360 mW
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
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800 mV @ 0,5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 10V (VGS)
Leistung - Max.:
360 mW
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
2N4858A
JFET-N-Kanal 40 V 360 mW durch Loch TO-18

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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