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JANTXV1N5307UR-1
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode CUR REG 100V 2,64MA 500MW

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Geltende Verordnung - Dioden, Transistoren
Produktstatus:
Aktiv
Spannung - Anode - Kathode (Vak):
100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500/463
Mfr:
Mikrochiptechnik
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-213AB (MELF, LL41)
Anwendungen:
-
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Leistung - Max.:
500 mW
Spannung - Begrenzung (maximal):
2V
Reglerstrom (maximal):
2.64mA
Packung / Gehäuse:
DO-213AB, MELF (Glas)
Basisproduktnummer:
1N5307
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Geltende Verordnung - Dioden, Transistoren
Produktstatus:
Aktiv
Spannung - Anode - Kathode (Vak):
100 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500/463
Mfr:
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Lieferanten-Gerätepaket:
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Betriebstemperatur:
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Leistung - Max.:
500 mW
Spannung - Begrenzung (maximal):
2V
Reglerstrom (maximal):
2.64mA
Packung / Gehäuse:
DO-213AB, MELF (Glas)
Basisproduktnummer:
1N5307
JANTXV1N5307UR-1

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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