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MOS-Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Leistungs-MOSFET-IC IRG71C28U

Name: MOS-Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Leistungs-MOSFET-IC IRG71C28U
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: IRG71C28U
Price: 4.80 USD
Availability: InStock

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: original

Modellnummer: IRG71C28U

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Min Bestellmenge: 10 Stück

Preis: $0.80/pieces 10-99 pieces

Verpackung Informationen: Antistatisches Verpacken

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000-teilig/Stücke pro Woche

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Typ:	Transistoren, Pentodentransistoren und IGBT-Transistoren	Betriebstemperatur:	Na
Reihe:	Standard	Typ der Montage:	Standard
Beschreibung:	Na	D/C:	Am neuesten
Art der Packung:	Während des Lochs	Anwendung:	Leistungs-MOSFET-IC
Lieferantenart:	Einzelhändler	Kreuzbezüge:	Na
Verfügbare Medien:	andere	Marke:	Na
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):	Na	Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):	Na
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:	Na	Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):	Na
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:	Na	Leistung - Max.:	Na
Frequenz - Übergang:	Na	Packung / Gehäuse:	Na
Widerstand - Basis (R1):	Na	Widerstand - Emitter-Basis (R2):	Na
FET-Typ:	Na	Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	Na	Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	Na
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Na	Vgs(th) (Max) @ Id:	Na
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:	Na	Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:	Na
Häufigkeit:	Na	Leistungsbewertung (Ampere):	Na
Geräuschwerte:	Na	Leistung - Leistung:	Na
Spannung - Nennwert:	Na	Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	Na
Vgs (maximal):	Na	IGBT-Art:	Na
Ausstattung:	Standard	Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:	Na
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:	Na	Eingabe:	Na
NTC-Thermistor:	Na	Spannungsausfall (V (BR) GSS):	Na
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Na	Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	Na
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	Na	Widerstand - RDS (an):	Na
Spannung:	Na	Spannung - Ertrag:	Na
Spannung - Ausgleich (Vt):	Na	Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	Na
Gegenwärtig - Tal (iv):	Na	Gegenwärtig - Spitze:	Na
Anwendungen:	Na	Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Status:	Vorräte	Gewährleistung:	90days
Datumskode:	2021+	Hafen:	Shenzhen

Typ:	Transistoren, Pentodentransistoren und IGBT-Transistoren
Betriebstemperatur:	Na
Reihe:	Standard
Typ der Montage:	Standard
Beschreibung:	Na
D/C:	Am neuesten
Art der Packung:	Während des Lochs
Anwendung:	Leistungs-MOSFET-IC
Lieferantenart:	Einzelhändler
Kreuzbezüge:	Na
Verfügbare Medien:	andere
Marke:	Na
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):	Na
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):	Na
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:	Na
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):	Na
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:	Na
Leistung - Max.:	Na
Frequenz - Übergang:	Na
Packung / Gehäuse:	Na
Widerstand - Basis (R1):	Na
Widerstand - Emitter-Basis (R2):	Na
FET-Typ:	Na
Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	Na
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	Na
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Na
Vgs(th) (Max) @ Id:	Na
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:	Na
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:	Na
Häufigkeit:	Na
Leistungsbewertung (Ampere):	Na
Geräuschwerte:	Na
Leistung - Leistung:	Na
Spannung - Nennwert:	Na
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	Na
Vgs (maximal):	Na
IGBT-Art:	Na
Ausstattung:	Standard
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:	Na
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:	Na
Eingabe:	Na
NTC-Thermistor:	Na
Spannungsausfall (V (BR) GSS):	Na
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Na
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	Na
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	Na
Widerstand - RDS (an):	Na
Spannung:	Na
Spannung - Ertrag:	Na
Spannung - Ausgleich (Vt):	Na
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	Na
Gegenwärtig - Tal (iv):	Na
Gegenwärtig - Spitze:	Na
Anwendungen:	Na
Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Status:	Vorräte
Gewährleistung:	90days
Datumskode:	2021+
Hafen:	Shenzhen

MOS-Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Leistungs-MOSFET-IC IRG71C28U

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre All-in-One-Quelle für elektronische Komponenten. Unser Fachwissen liegt in der Bereitstellung einer Vielzahl von elektronischen Komponenten, die Ihren unterschiedlichen Anforderungen entsprechen.Wir bieten:- Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltungen (IC) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktoren, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter,Relais, Sensorantriebe - Stromversorgung: Spannungsregler, Leistungsumrichter, Batterieverwaltung - Optoelektronik: LEDs, Laser, Photodioden, optische Sensoren - HF- und drahtlose Komponenten: HF-Module,Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umgebungssensoren.

Typ: Integrierte Schaltungen Elektronische Komponenten

DC22+

MOQ: 1 Stück

Verpackung: Standard

Die Bandbreite der funktionellen Chips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.

Wir haben Chips.
Integrierte Schaltungen Elektronische Bauteile	Vergleiche-ICs	Encoder-Decoder	Berührungsschaltflächen
Spannungsreferenz-ICs	Verstärker	Wiederherstellen des Detektor-IC	Leistungsverstärker-IC
Infrarotverarbeitung IC	Schnittstellen-Chip	Bluetooth-Chip	Boost und Buck Chips
Zeitbasischips	Uhr-Kommunikationschips	Transceiver-IC	Wireless RF IC
Chip-Widerstand	Speicherchip 2	Ethernet-Chip	Integrierte Schaltungen Elektronische Komponenten

Tags:

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Lineare integrierte Schaltungen FPGAs,

Lineare integrierte Schaltungen LT3474,

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