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MOS-Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Leistungs-MOSFET-IC IRG71C28U

Name: MOS-Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Leistungs-MOSFET-IC IRG71C28U
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: IRG71C28U
Price: 4.80 USD
Availability: InStock

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: original

Modellnummer: IRG71C28U

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Min Bestellmenge: 10 Stück

Preis: $0.80/pieces 10-99 pieces

Verpackung Informationen: Antistatisches Verpacken

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000-teilig/Stücke pro Woche

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Typ:	Transistoren, Pentodentransistoren und IGBT-Transistoren	Betriebstemperatur:	Na
Reihe:	Standard	Typ der Montage:	Standard
Beschreibung:	Na	D/C:	Am neuesten
Art der Packung:	Während des Lochs	Anwendung:	Leistungs-MOSFET-IC
Lieferantenart:	Einzelhändler	Kreuzbezüge:	Na
Verfügbare Medien:	andere	Marke:	Na
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):	Na	Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):	Na
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:	Na	Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):	Na
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:	Na	Leistung - Max.:	Na
Frequenz - Übergang:	Na	Packung / Gehäuse:	Na
Widerstand - Basis (R1):	Na	Widerstand - Emitter-Basis (R2):	Na
FET-Typ:	Na	Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	Na	Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	Na
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Na	Vgs(th) (Max) @ Id:	Na
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:	Na	Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:	Na
Häufigkeit:	Na	Leistungsbewertung (Ampere):	Na
Geräuschwerte:	Na	Leistung - Leistung:	Na
Spannung - Nennwert:	Na	Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	Na
Vgs (maximal):	Na	IGBT-Art:	Na
Ausstattung:	Standard	Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:	Na
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:	Na	Eingabe:	Na
NTC-Thermistor:	Na	Spannungsausfall (V (BR) GSS):	Na
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Na	Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	Na
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	Na	Widerstand - RDS (an):	Na
Spannung:	Na	Spannung - Ertrag:	Na
Spannung - Ausgleich (Vt):	Na	Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	Na
Gegenwärtig - Tal (iv):	Na	Gegenwärtig - Spitze:	Na
Anwendungen:	Na	Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Status:	Vorräte	Gewährleistung:	90days
Datumskode:	2021+	Hafen:	Shenzhen

Typ:	Transistoren, Pentodentransistoren und IGBT-Transistoren
Betriebstemperatur:	Na
Reihe:	Standard
Typ der Montage:	Standard
Beschreibung:	Na
D/C:	Am neuesten
Art der Packung:	Während des Lochs
Anwendung:	Leistungs-MOSFET-IC
Lieferantenart:	Einzelhändler
Kreuzbezüge:	Na
Verfügbare Medien:	andere
Marke:	Na
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):	Na
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):	Na
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:	Na
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):	Na
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:	Na
Leistung - Max.:	Na
Frequenz - Übergang:	Na
Packung / Gehäuse:	Na
Widerstand - Basis (R1):	Na
Widerstand - Emitter-Basis (R2):	Na
FET-Typ:	Na
Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	Na
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	Na
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Na
Vgs(th) (Max) @ Id:	Na
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:	Na
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:	Na
Häufigkeit:	Na
Leistungsbewertung (Ampere):	Na
Geräuschwerte:	Na
Leistung - Leistung:	Na
Spannung - Nennwert:	Na
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	Na
Vgs (maximal):	Na
IGBT-Art:	Na
Ausstattung:	Standard
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:	Na
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:	Na
Eingabe:	Na
NTC-Thermistor:	Na
Spannungsausfall (V (BR) GSS):	Na
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Na
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	Na
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	Na
Widerstand - RDS (an):	Na
Spannung:	Na
Spannung - Ertrag:	Na
Spannung - Ausgleich (Vt):	Na
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	Na
Gegenwärtig - Tal (iv):	Na
Gegenwärtig - Spitze:	Na
Anwendungen:	Na
Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Status:	Vorräte
Gewährleistung:	90days
Datumskode:	2021+
Hafen:	Shenzhen

MOS-Transistor IRG71C28U IRG71C28UPBF IRG7IC28U IRG7IC28UPBF Leistungs-MOSFET-IC IRG71C28U

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre Komplettanbieter für elektronische Komponenten (Stückliste). Unsere Expertise liegt in der Bereitstellung einer breiten Palette elektronischer Komponenten, um Ihren vielfältigen Anforderungen gerecht zu werden. Wir bieten: - Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltkreise (ICs) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter, Relais, Sensoraktuatoren - Stromversorgungen: Spannungsregler, Stromwandler, Batteriemanagement - Optoelektronik: LEDs, Laser, Fotodioden, optische Sensoren - HF- und Funkkomponenten: HF-Module, Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umweltsensoren.

Typ: Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten

DC:22+

MOQ:1 Stück

Paket: Standard

Die Bandbreite der Funktionschips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie z. B. Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.

Chip-Typen, die wir haben
Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten	Komparator-ICs	Encoder-Decoder	Touch-ICs
Spannungsreferenz-ICs	Verstärker	Reset-Detektor-IC	Leistungsverstärker-IC
Infrarot-Verarbeitungs-IC	Schnittstellen-Chip	Bluetooth-Chip	Boost- und Buck-Chips
Zeitbasis-Chips	Takt-Kommunikations-Chips	Transceiver-IC	Wireless-RF-IC
Chip-Widerstand	Speicher-Chip 2	Ethernet-Chip	Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten

Tags:

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Lineare integrierte Schaltungen FPGAs,

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