Hervorheben:
Typ: |
andere, IGBT-Transistoren |
Betriebstemperatur: |
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Reihe: |
Standards |
Typ der Montage: |
Standards |
Beschreibung: |
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D/C: |
22+ |
Art der Packung: |
Während des Lochs |
Anwendung: |
Standards |
Lieferantenart: |
Andere |
Querverweis: |
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Medien verfügbar: |
Andere |
Marke: |
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Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): |
89 A |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): |
75 V |
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: |
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Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): |
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Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: |
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Macht- maximales: |
170 W |
Frequenz - Übergang: |
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Packung / Gehäuse: |
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Widerstand - Basis (R1): |
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Widerstand - Emitter-Basis (R2): |
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Fet-Art: |
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Fet-Eigenschaft: |
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Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): |
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Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: |
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RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: |
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Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: |
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Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: |
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Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: |
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Häufigkeit: |
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Gegenwärtige Bewertung (Ampere): |
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Rauschmaß: |
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Leistungsabgabe: |
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Spannung - bewertet: |
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Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (maximal): |
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IGBT-Art: |
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Konfiguration: |
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Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: |
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Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce: |
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Eingabe: |
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NTC-Thermistor: |
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Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
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Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
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Widerstand - RDS (an): |
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Spannung: |
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Spannung - Ertrag: |
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Spannung - Ausgleich (Vt): |
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Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao): |
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Gegenwärtig - Tal (iv): |
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Gegenwärtig - Spitze: |
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Anwendungen: |
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Transistor-Art: |
mit einer Leistung von mehr als 50 W |
Hafen: |
Zürich |
Neue elektronische Komponente IC IRF2807 MOSFET IRF
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