Hervorheben:
Typ: |
MOSFET, IGBT-Transistor |
Betriebstemperatur: |
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Serie: |
Standard |
Art der Montage: |
Standard |
Beschreibung: |
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D/C: |
Über 22 Jahre |
Art der Packung: |
Oberflächenbefestigung |
Anwendung: |
Diode Schottky |
Lieferantenart: |
andere |
Kreuzbezüge: |
Standard |
Verfügbare Medien: |
andere |
Marke: |
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Strom - Kollektor (Ic) (maximal): |
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Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): |
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Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: |
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Strom - Sammlergrenze (maximal): |
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Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
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Leistung - Max.: |
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Häufigkeit - Übergang: |
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Packung / Gehäuse: |
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Widerstand - Basis (R1): |
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Widerstand - Emitterbasis (R2): |
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FET-Typ: |
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Fet-Eigenschaft: |
Standard |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): |
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Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: |
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RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: |
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Vgs(th) (Max) @ Id: |
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Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: |
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
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Häufigkeit: |
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Leistungsbewertung (Ampere): |
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Geräuschwerte: |
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Leistung - Leistung: |
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Nennspannung: |
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Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (maximal): |
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IGBT-Typ: |
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Ausstattung: |
Standard |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
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Eintrittskapazität (Cies) @ Vce: |
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Eingabe: |
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NTC-Thermistor: |
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Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
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Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
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Widerstand - RDS (an): |
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Spannung: |
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Spannung - Ausgang: |
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Spannung - Ausgleich (Vt): |
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Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao): |
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Gegenwärtig - Tal (iv): |
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Gegenwärtig - Spitze: |
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Anwendungen: |
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Transistortyp: |
mit einer Leistung von mehr als 50 W |
Hafen: |
Shenzhen |
Schottky-Barriere-Rectifier Diode SS32 Sk34 Sk54smd Dioden SS34 SS36 SS38 SS310
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