Hervorheben:
Typ: |
NA, Feldwirkungstransistor, IGBT-Transistor |
Betriebstemperatur: |
Na |
Reihe: |
Standards |
Typ der Montage: |
Standards |
Beschreibung: |
Na |
D/C: |
22+ |
Art der Packung: |
Während des Lochs |
Anwendung: |
Standards |
Lieferantenart: |
Einzelhändler |
Querverweis: |
Na |
Medien verfügbar: |
Andere |
Marke: |
Na |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): |
Na |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): |
Na |
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: |
Na |
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): |
Na |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: |
Na |
Macht- maximales: |
Na |
Frequenz - Übergang: |
Na |
Packung / Gehäuse: |
Na |
Widerstand - Basis (R1): |
Na |
Widerstand - Emitter-Basis (R2): |
Na |
Fet-Art: |
Na |
Fet-Eigenschaft: |
Standards |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): |
Na |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: |
Na |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: |
Na |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: |
Na |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: |
Na |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: |
Na |
Häufigkeit: |
Na |
Gegenwärtige Bewertung (Ampere): |
Na |
Rauschmaß: |
Na |
Leistungsabgabe: |
Na |
Spannung - bewertet: |
Na |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): |
Na |
Vgs (maximal): |
Na |
IGBT-Art: |
Na |
Konfiguration: |
Standards |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: |
Na |
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce: |
Na |
Eingabe: |
Na |
NTC-Thermistor: |
Na |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
Na |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Na |
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
Na |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
Na |
Widerstand - RDS (an): |
Na |
Spannung: |
Na |
Spannung - Ertrag: |
Na |
Spannung - Ausgleich (Vt): |
Na |
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao): |
Na |
Gegenwärtig - Tal (iv): |
Na |
Gegenwärtig - Spitze: |
Na |
Anwendungen: |
Na |
Transistor-Art: |
mit einer Leistung von mehr als 50 W |
Hafen: |
Zürich |
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