produits

Haus > produits > ROHM UTC ICS > MOSFET P-Kanal 75V 130A bis 220AB Irf1407pbf Irf1407

Kategorien

Analog Devices Fluglageanzeiger

(1741)

Texas Instruments National Semiconductor

(1489)

Elektronische Bauelemente Infineon

(161)

Elektronische Bauelemente Atmel

(130)

Mikrochip-integrierte Schaltung

(1079)

Widerstände und Kondensatoren

(3067)

Kontakte

Kontakte: Miss. Amy

Telefon: 86-180-3344-1064

Fax:

Kontakt jetzt

Verschicken Sie uns

MOSFET P-Kanal 75V 130A bis 220AB Irf1407pbf Irf1407

Name: MOSFET P-Kanal 75V 130A bis 220AB Irf1407pbf Irf1407
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: IRF1407PBF
Price: 4.60 USD
Availability: InStock

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: original

Modellnummer: IRF1407PBF

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Min Bestellmenge: 10 Stück

Preis: $0.60/pieces 10-99 pieces

Verpackung Informationen: Antistatisches Verpacken

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000-teilig/Stücke pro Woche

Erhalten Sie besten Preis

Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Typ:	IC-Chip, Feldwirkungstransistor, IGBT-Transistor	Betriebstemperatur:	-40 °C bis 150 °C (TJ)
Serie:	/	Art der Montage:	Durchs Loch
Beschreibung:	/	D/C:	Über 22 Jahre
Art der Packung:	Während des Lochs	Anwendung:	Standard
Lieferantenart:	andere	Kreuzbezüge:	Neu
Verfügbare Medien:	andere	Marke:	Transistoren mit einem NPN von 400 V 1,5 A SOT-32
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	1.5A	Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	400 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:	1.5V @ 500mA, 1,5A	Strom - Sammlergrenze (maximal):	1mA
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	5 @ 1A, 2V	Leistung - Max.:	40 W
Häufigkeit - Übergang:	Standard	Packung / Gehäuse:	TO-225AA, TO-126-3
Widerstand - Basis (R1):	/	Widerstand - Emitterbasis (R2):	/
FET-Typ:	/	Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	/	Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	/
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:	/	Vgs(th) (Max) @ Id:	/
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:	/	Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	/
Häufigkeit:	/	Leistungsbewertung (Ampere):	/
Geräuschwerte:	/	Leistung - Leistung:	/
Nennspannung:	/	Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	/
Vgs (maximal):	/	IGBT-Typ:	/
Ausstattung:	/	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	/
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:	/	Eingabe:	/
NTC-Thermistor:	/	Spannungsausfall (V (BR) GSS):	/
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	/	Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	/
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	/	Widerstand - RDS (an):	/
Spannung:	/	Spannung - Ausgang:	/
Spannung - Ausgleich (Vt):	/	Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	/
Gegenwärtig - Tal (iv):	/	Gegenwärtig - Spitze:	/
Anwendungen:	/	Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Hafen:	Shenzhen

Typ:	IC-Chip, Feldwirkungstransistor, IGBT-Transistor
Betriebstemperatur:	-40 °C bis 150 °C (TJ)
Serie:	/
Art der Montage:	Durchs Loch
Beschreibung:	/
D/C:	Über 22 Jahre
Art der Packung:	Während des Lochs
Anwendung:	Standard
Lieferantenart:	andere
Kreuzbezüge:	Neu
Verfügbare Medien:	andere
Marke:	Transistoren mit einem NPN von 400 V 1,5 A SOT-32
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	1.5A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	400 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:	1.5V @ 500mA, 1,5A
Strom - Sammlergrenze (maximal):	1mA
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	5 @ 1A, 2V
Leistung - Max.:	40 W
Häufigkeit - Übergang:	Standard
Packung / Gehäuse:	TO-225AA, TO-126-3
Widerstand - Basis (R1):	/
Widerstand - Emitterbasis (R2):	/
FET-Typ:	/
Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	/
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	/
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:	/
Vgs(th) (Max) @ Id:	/
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:	/
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	/
Häufigkeit:	/
Leistungsbewertung (Ampere):	/
Geräuschwerte:	/
Leistung - Leistung:	/
Nennspannung:	/
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	/
Vgs (maximal):	/
IGBT-Typ:	/
Ausstattung:	/
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	/
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:	/
Eingabe:	/
NTC-Thermistor:	/
Spannungsausfall (V (BR) GSS):	/
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	/
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	/
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	/
Widerstand - RDS (an):	/
Spannung:	/
Spannung - Ausgang:	/
Spannung - Ausgleich (Vt):	/
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	/
Gegenwärtig - Tal (iv):	/
Gegenwärtig - Spitze:	/
Anwendungen:	/
Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Hafen:	Shenzhen

MOSFET P-Kanal 75V 130A bis 220AB Irf1407pbf Irf1407

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre All-in-One-Quelle für elektronische Komponenten. Unser Fachwissen liegt darin, eine Vielzahl von elektronischen Komponenten zu liefern, die Ihren unterschiedlichen Anforderungen entsprechen.Wir bieten:- Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltungen (IC) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktoren, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter,Relais, Sensorantriebe - Stromversorgung: Spannungsregler, Leistungsumrichter, Batterieverwaltung - Optoelektronik: LEDs, Laser, Photodioden, optische Sensoren - HF- und drahtlose Komponenten: HF-Module,Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umgebungssensoren.

Typ: Integrierte Schaltungen Elektronische Komponenten

DC22+

MOQ: 1 Stück

Verpackung: Standard

Die Bandbreite der funktionellen Chips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.

Wir haben Chips.
Integrierte Schaltungen Elektronische Bauteile	Vergleiche-ICs	Encoder-Decoder	Berührungsschaltflächen
Spannungsreferenz-ICs	Verstärker	Wiederherstellen des Detektor-IC	Leistungsverstärker-IC
Infrarotverarbeitung IC	Schnittstellen-Chip	Bluetooth-Chip	Boost und Buck Chips
Zeitbasischips	Uhr-Kommunikationschips	Transceiver-IC	Wireless RF IC
Chip-Widerstand	Speicherchip 2	Ethernet-Chip	Integrierte Schaltungen Elektronische Komponenten

Tags:

LED-Treiber-IC-Komponenten SPD2-E9CD-XXXWW-LED1100 Ein-Stop-Elektronische Komponenten Bom-Liste Kitting Service Ic-Anschlüsse Abgleich

Erhalten Sie besten Preis

Elektronische Bauelemente IC

ST. ICS

RENESAS IC

Analog Devices Fluglageanzeiger

Texas Instruments National Semiconductor

AUF Halbleiter Fairchild

Freescale Halbleiter

Vishay IC

Elektronische Bauelemente Infineon

Integrierte Schaltungen IC

AOS IC

Elektronische Bauelemente Atmel

Altera-Chip

Xilinx IC

Mikrocontroller MCU

Mikrometer ISSI Samsung

Dioden-Trioden-Transistor

ROHM UTC ICS

Mikrochip-integrierte Schaltung

Widerstände und Kondensatoren

MOSFET P-Kanal 75V 130A bis 220AB Irf1407pbf Irf1407

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Bipolar Transistor ROHM UTC ICS,

Transistor ROHM UTC ICS zweipolig,

Elektronische Bauelemente IC

ST. ICS

RENESAS IC

Analog Devices Fluglageanzeiger

Texas Instruments National Semiconductor

AUF Halbleiter Fairchild

Freescale Halbleiter