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Transistor-Leistung Mosfet A1943 C5200 2Sc5200 2Sa1943

Name: Transistor-Leistung Mosfet A1943 C5200 2Sc5200 2Sa1943
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: STW48N60DM2
Price: 5.48 USD
Availability: InStock

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: original

Modellnummer: STW48N60DM2

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Min Bestellmenge: 10 Stück

Preis: $1.48/pieces 10-99 pieces

Verpackung Informationen: Antistatisches Verpacken

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000-teilig/Stücke pro Woche

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Typ:	Elektronische Komponenten, IGBT-Transistoren	Betriebstemperatur:	Standards
Serie:	Standard	Art der Montage:	Standard
Beschreibung:	igbt Transistor	D/C:	/
Art der Packung:	Standard	Anwendung:	Standard
Lieferantenart:	Sonstige	Kreuzbezüge:	Standard
Verfügbare Medien:	andere	Marke:	Transistor
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	Standard	Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:	Standard	Strom - Sammlergrenze (maximal):	Standard
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	Standard	Leistung - Max.:	Standard
Häufigkeit - Übergang:	Standard	Packung / Gehäuse:	Standard
Widerstand - Basis (R1):	Standard	Widerstand - Emitterbasis (R2):	Standard
FET-Typ:	Standard	Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	Standard	Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Standard	Vgs(th) (Max) @ Id:	Standard
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:	Standard	Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	Standard
Häufigkeit:	Standards	Leistungsbewertung (Ampere):	Standard
Geräuschwerte:	Standard	Leistung - Leistung:	Standard
Nennspannung:	Standard	Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	Standard
Vgs (maximal):	Standard	IGBT-Typ:	Standard
Ausstattung:	Standard	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	Standard
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:	Standard	Eingabe:	Standard
NTC-Thermistor:	Standard	Spannungsausfall (V (BR) GSS):	Standard
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Standard	Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	Standard
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	Standard	Widerstand - RDS (an):	Standard
Spannung:	Standard	Spannung - Ausgang:	Standard
Spannung - Ausgleich (Vt):	Standard	Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	Standard
Gegenwärtig - Tal (iv):	Standard	Gegenwärtig - Spitze:	Standard
Anwendungen:	Standard	Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Hafen:	Shenzhen

Typ:	Elektronische Komponenten, IGBT-Transistoren
Betriebstemperatur:	Standards
Serie:	Standard
Art der Montage:	Standard
Beschreibung:	igbt Transistor
D/C:	/
Art der Packung:	Standard
Anwendung:	Standard
Lieferantenart:	Sonstige
Kreuzbezüge:	Standard
Verfügbare Medien:	andere
Marke:	Transistor
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	Standard
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:	Standard
Strom - Sammlergrenze (maximal):	Standard
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	Standard
Leistung - Max.:	Standard
Häufigkeit - Übergang:	Standard
Packung / Gehäuse:	Standard
Widerstand - Basis (R1):	Standard
Widerstand - Emitterbasis (R2):	Standard
FET-Typ:	Standard
Fet-Eigenschaft:	Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	Standard
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	Standard
Vgs(th) (Max) @ Id:	Standard
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:	Standard
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	Standard
Häufigkeit:	Standards
Leistungsbewertung (Ampere):	Standard
Geräuschwerte:	Standard
Leistung - Leistung:	Standard
Nennspannung:	Standard
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):	Standard
Vgs (maximal):	Standard
IGBT-Typ:	Standard
Ausstattung:	Standard
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	Standard
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:	Standard
Eingabe:	Standard
NTC-Thermistor:	Standard
Spannungsausfall (V (BR) GSS):	Standard
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Standard
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:	Standard
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	Standard
Widerstand - RDS (an):	Standard
Spannung:	Standard
Spannung - Ausgang:	Standard
Spannung - Ausgleich (Vt):	Standard
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):	Standard
Gegenwärtig - Tal (iv):	Standard
Gegenwärtig - Spitze:	Standard
Anwendungen:	Standard
Transistortyp:	mit einer Leistung von mehr als 50 W
Hafen:	Shenzhen

Transistor-Leistung Mosfet A1943 C5200 2Sc5200 2Sa1943

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre Komplettanbieter für elektronische Komponenten (Stückliste). Unsere Expertise liegt in der Bereitstellung einer breiten Palette elektronischer Komponenten, um Ihren vielfältigen Anforderungen gerecht zu werden. Wir bieten an: - Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltkreise (ICs) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter, Relais, Sensoraktuatoren - Stromversorgungen: Spannungsregler, Stromwandler, Batteriemanagement - Optoelektronik: LEDs, Laser, Fotodioden, optische Sensoren - HF- und drahtlose Komponenten: HF-Module, Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umweltsensoren.

Typ: Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten

DC:22+

MOQ:1 Stück

Paket: Standard

Die Bandbreite der Funktionschips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie z. B. Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.

Chip-Typen, die wir haben
Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten	Komparator-ICs	Encoder-Decoder	Touch-ICs
Spannungsreferenz-ICs	Verstärker	Reset-Detektor-IC	Leistungsverstärker-IC
Infrarot-Verarbeitungs-IC	Schnittstellen-Chip	Bluetooth-Chip	Boost- und Buck-Chips
Zeitbasis-Chips	Takt-Kommunikations-Chips	Transceiver-IC	Drahtlos-HF-IC
Chip-Widerstand	Speicher-Chip 2	Ethernet-Chip	Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten

Tags:

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Bipolar Transistor ROHM UTC ICS,

Transistor ROHM UTC ICS zweipolig,

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