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IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: original

Modellnummer: STW48N60DM2

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Min Bestellmenge: 10 Stück

Preis: $0.22/pieces 10-99 pieces

Verpackung Informationen: Antistatisches Verpacken

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück/Stück pro Monat

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Typ:
Elektronische Komponenten, IGBT-Transistoren
Betriebstemperatur:
Standard
Serie:
Standard
Art der Montage:
Standard
Beschreibung:
igbt Transistor
D/C:
Über 22 Jahre
Art der Packung:
Standard
Anwendung:
Standards
Lieferantenart:
andere
Kreuzbezüge:
Standard
Verfügbare Medien:
andere
Marke:
Transistor
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
Standard
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
Standard
Strom - Sammlergrenze (maximal):
Standard
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Standard
Leistung - Max.:
Standard
Häufigkeit - Übergang:
Standard
Packung / Gehäuse:
Standard
Widerstand - Basis (R1):
Standard
Widerstand - Emitterbasis (R2):
Standard
FET-Typ:
Standard
Fet-Eigenschaft:
Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
Standard
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Standard
Vgs(th) (Max) @ Id:
Standard
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Standard
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Standard
Häufigkeit:
Standard
Leistungsbewertung (Ampere):
Standard
Geräuschwerte:
Standard
Leistung - Leistung:
Standard
Nennspannung:
Standard
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standard
Vgs (maximal):
Standard
IGBT-Typ:
Standard
Ausstattung:
Standard
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Standard
Eingabe:
Standard
NTC-Thermistor:
Standard
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standard
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standard
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standard
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standard
Widerstand - RDS (an):
Standard
Spannung:
Standard
Spannung - Ausgang:
Standard
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standard
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standard
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standard
Gegenwärtig - Spitze:
Standard
Anwendungen:
Standard
Transistortyp:
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Hafen:
Shenzhen
Typ:
Elektronische Komponenten, IGBT-Transistoren
Betriebstemperatur:
Standard
Serie:
Standard
Art der Montage:
Standard
Beschreibung:
igbt Transistor
D/C:
Über 22 Jahre
Art der Packung:
Standard
Anwendung:
Standards
Lieferantenart:
andere
Kreuzbezüge:
Standard
Verfügbare Medien:
andere
Marke:
Transistor
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
Standard
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
Standard
Strom - Sammlergrenze (maximal):
Standard
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Standard
Leistung - Max.:
Standard
Häufigkeit - Übergang:
Standard
Packung / Gehäuse:
Standard
Widerstand - Basis (R1):
Standard
Widerstand - Emitterbasis (R2):
Standard
FET-Typ:
Standard
Fet-Eigenschaft:
Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
Standard
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Standard
Vgs(th) (Max) @ Id:
Standard
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Standard
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Standard
Häufigkeit:
Standard
Leistungsbewertung (Ampere):
Standard
Geräuschwerte:
Standard
Leistung - Leistung:
Standard
Nennspannung:
Standard
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standard
Vgs (maximal):
Standard
IGBT-Typ:
Standard
Ausstattung:
Standard
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Standard
Eingabe:
Standard
NTC-Thermistor:
Standard
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standard
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standard
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standard
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standard
Widerstand - RDS (an):
Standard
Spannung:
Standard
Spannung - Ausgang:
Standard
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standard
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standard
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standard
Gegenwärtig - Spitze:
Standard
Anwendungen:
Standard
Transistortyp:
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Hafen:
Shenzhen
IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre Komplettanbieter für elektronische Komponenten (Stückliste). Unsere Expertise liegt in der Bereitstellung einer breiten Palette elektronischer Komponenten, um Ihren vielfältigen Anforderungen gerecht zu werden. Wir bieten an: - Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltkreise (ICs) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter, Relais, Sensoraktuatoren - Stromversorgungen: Spannungsregler, Stromwandler, Batteriemanagement - Optoelektronik: LEDs, Laser, Fotodioden, optische Sensoren - HF- und drahtlose Komponenten: HF-Module, Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umweltsensoren.
IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220 0

Typ: Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten
DC:22+
MOQ:1 Stück
Paket: Standard
Die Bandbreite der Funktionschips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie z. B. Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.
Chip-Typen, die wir haben



Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten
Komparator-ICs
Encoder-Decoder
Touch-ICs
Spannungsreferenz-ICs
Verstärker
Reset-Detektor-IC
Leistungsverstärker-IC
Infrarot-Verarbeitungs-IC
Schnittstellen-Chip
Bluetooth-Chip
Boost- und Buck-Chips
Zeitbasis-Chips
Takt-Kommunikations-Chips
Transceiver-IC
Drahtlos-HF-IC
Chip-Widerstand
Speicher-Chip 2
Ethernet-Chip
Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten
IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220 1
IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220 2
IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220 3
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IRF540NPBF IRF540 MOSFET-Feldwirkungstransistor TO-220 5