Hervorheben:
Typ: |
TO-220, IC-Chips |
Betriebstemperatur: |
-55°C ~ 175°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ) |
Art der Montage: |
Durch Loch, durch Loch |
Beschreibung: |
Transistoren, neu im Original |
D/C: |
- - |
Art der Packung: |
Während des Lochs |
Anwendung: |
Elektronisch |
Lieferantenart: |
Originalhersteller, ODM, Agentur, Händler |
Kreuzbezüge: |
- - |
Verfügbare Medien: |
Datenblatt, Foto |
Marke: |
MOSFET N-CH 55V 110A bis 220AB |
Strom - Kollektor (Ic) (maximal): |
- - |
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): |
- - |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: |
- - |
Strom - Sammlergrenze (maximal): |
- - |
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: |
- - |
Leistung - Max.: |
- - |
Häufigkeit - Übergang: |
- - |
Packung / Gehäuse: |
Die Ausgabe der Ausgabe ist in der Liste aufgeführt, in der die Ausgabe erfolgt. |
Widerstand - Basis (R1): |
- - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): |
- - |
FET-Typ: |
N-Kanal |
Fet-Eigenschaft: |
- - |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): |
55V |
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: |
110A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250uA, 4V @ 250uA |
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsspi |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V |
Häufigkeit: |
- |
Leistungsbewertung (Ampere): |
- - |
Geräuschwerte: |
- - |
Leistung - Leistung: |
- - |
Nennspannung: |
- - |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): |
10 V |
Vgs (maximal): |
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit |
IGBT-Typ: |
- - |
Ausstattung: |
- - |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
- - |
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce: |
- - |
Eingabe: |
- - |
NTC-Thermistor: |
- - |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
- - |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- - |
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
- - |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
- - |
Widerstand - RDS (an): |
- - |
Spannung: |
- - |
Spannung - Ausgang: |
- - |
Spannung - Ausgleich (Vt): |
- - |
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao): |
- - |
Gegenwärtig - Tal (iv): |
- - |
Gegenwärtig - Spitze: |
- - |
Anwendungen: |
- - |
Transistortyp: |
mit einer Leistung von mehr als 50 W |
Produktbezeichnung: |
IRF5210 |
Bleifreier Status: |
Bleifrei |
Status der Erzeugnisse: |
auf Lager |
Stückpreis: |
Treten Sie mit uns bitte in Verbindung! |
Versandweg: |
Bei der Übermittlung von Daten an die Kommission |
Hafen: |
Zürich |
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