Hervorheben:
Typ: |
TO-220, IC-Chips |
Betriebstemperatur: |
-55°C ~ 175°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ der Montage: |
Durch Loch, durch Loch |
Beschreibung: |
Transistoren, neu im Original |
D/C: |
- |
Art der Packung: |
Während des Lochs |
Anwendung: |
Elektronisch |
Lieferantenart: |
Originalhersteller, ODM, Agentur, Händler |
Querverweis: |
- |
Medien verfügbar: |
Datenblatt, Foto |
Marke: |
MOSFET N-CH 55V 110A bis 220AB |
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): |
- |
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): |
- |
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: |
- |
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): |
- |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: |
- |
Macht- maximales: |
- |
Frequenz - Übergang: |
- |
Packung / Gehäuse: |
Die Ausgabe der Ausgabe ist in der Liste aufgeführt, in der die Ausgabe erfolgt. |
Widerstand - Basis (R1): |
- |
Widerstand - Emitter-Basis (R2): |
- |
Fet-Art: |
N-Kanal |
Fet-Eigenschaft: |
- |
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): |
55V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: |
110A (Tc) |
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: |
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V |
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: |
4V @ 250uA, 4V @ 250uA |
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsspi |
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: |
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V |
Häufigkeit: |
- |
Gegenwärtige Bewertung (Ampere): |
- |
Rauschmaß: |
- |
Leistungsabgabe: |
- |
Spannung - bewertet: |
- |
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On): |
10 V |
Vgs (maximal): |
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit |
IGBT-Art: |
- |
Konfiguration: |
- |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: |
- |
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce: |
- |
Eingabe: |
- |
NTC-Thermistor: |
- |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
- |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
- |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
- |
Widerstand - RDS (an): |
- |
Spannung: |
- |
Spannung - Ertrag: |
- |
Spannung - Ausgleich (Vt): |
- |
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao): |
- |
Gegenwärtig - Tal (iv): |
- |
Gegenwärtig - Spitze: |
- |
Anwendungen: |
- |
Transistor-Art: |
mit einer Leistung von mehr als 50 W |
Produktbezeichnung: |
IRF5210 |
Bleifreier Status: |
Bleifrei |
Produkt-Status: |
auf Lager |
Stückpreis: |
Treten Sie mit uns bitte in Verbindung! |
Versandweise: |
Bei der Übermittlung von Daten an die Kommission |
Hafen: |
Zürich |
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