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MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: ALL BRAND

Modellnummer: IRFP260N

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Min Bestellmenge: 100 Stück

Preis: $2.00/pieces >=100 pieces

Verpackung Informationen: Spule oder Rohr

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück/Stück pro Tag

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Typ:
MOSFET, Feldwirkungstransistor, IC-Chips
Betriebstemperatur:
C
Art der Montage:
Durchs Loch
Beschreibung:
c5200 a1943
D/C:
N/A
Art der Packung:
Während des Lochs
Anwendung:
allgemeiner Zweck
Lieferantenart:
Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur, Einzelhändler, anderer
Verfügbare Medien:
Datenblatt, Foto, EDA/CAD-Modelle, andere
Marke:
Mosfet-Transistor
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
Standard
Strom - Sammlergrenze (maximal):
Ein
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Standard
Leistung - Max.:
W
Häufigkeit - Übergang:
Hz
Packung / Gehäuse:
Zu-247/zu-3p
Widerstand - Basis (R1):
Standard
Widerstand - Emitterbasis (R2):
Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
Standard
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Standard
Vgs(th) (Max) @ Id:
Standard
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Standard
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Standard
Häufigkeit:
Standard
Leistungsbewertung (Ampere):
Ein
Geräuschwerte:
Standard
Leistung - Leistung:
W
Nennspannung:
V
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standard
Vgs (maximal):
Standard
IGBT-Typ:
Standard
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Standard
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Standard
Eingabe:
Standard
NTC-Thermistor:
Standard
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standard
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standard
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standard
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standard
Widerstand - RDS (an):
Standards
Spannung:
Standard
Spannung - Ausgang:
Standard
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standard
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standard
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standard
Gegenwärtig - Spitze:
Standard
Anwendungen:
Standard
Transistortyp:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 50 W
Produktbezeichnung:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 10 W
Hafen:
Shenzhen
Typ:
MOSFET, Feldwirkungstransistor, IC-Chips
Betriebstemperatur:
C
Art der Montage:
Durchs Loch
Beschreibung:
c5200 a1943
D/C:
N/A
Art der Packung:
Während des Lochs
Anwendung:
allgemeiner Zweck
Lieferantenart:
Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur, Einzelhändler, anderer
Verfügbare Medien:
Datenblatt, Foto, EDA/CAD-Modelle, andere
Marke:
Mosfet-Transistor
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
Standard
Strom - Sammlergrenze (maximal):
Ein
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Standard
Leistung - Max.:
W
Häufigkeit - Übergang:
Hz
Packung / Gehäuse:
Zu-247/zu-3p
Widerstand - Basis (R1):
Standard
Widerstand - Emitterbasis (R2):
Standard
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
Standard
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Standard
Vgs(th) (Max) @ Id:
Standard
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
Standard
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
Standard
Häufigkeit:
Standard
Leistungsbewertung (Ampere):
Ein
Geräuschwerte:
Standard
Leistung - Leistung:
W
Nennspannung:
V
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standard
Vgs (maximal):
Standard
IGBT-Typ:
Standard
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
Standard
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
Standard
Eingabe:
Standard
NTC-Thermistor:
Standard
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standard
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standard
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standard
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standard
Widerstand - RDS (an):
Standards
Spannung:
Standard
Spannung - Ausgang:
Standard
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standard
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standard
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standard
Gegenwärtig - Spitze:
Standard
Anwendungen:
Standard
Transistortyp:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 50 W
Produktbezeichnung:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 10 W
Hafen:
Shenzhen
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre Komplettanbieter für elektronische Komponenten (Stückliste). Unsere Expertise liegt in der Bereitstellung einer breiten Palette elektronischer Komponenten, um Ihren vielfältigen Anforderungen gerecht zu werden. Wir bieten an: - Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltkreise (ICs) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter, Relais, Sensoraktuatoren - Netzteile: Spannungsregler, Stromrichter, Batteriemanagement - Optoelektronik: LEDs, Laser, Fotodioden, optische Sensoren - HF- und drahtlose Komponenten: HF-Module, Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umweltsensoren.
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip 0

Typ: Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten
DC:22+
MOQ:1 Stück
Paket: Standard
Die Bandbreite der Funktionschips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie z. B. Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.
Chip-Typen, die wir haben



Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten
Komparator-ICs
Encoder-Decoder
Touch-ICs
Spannungsreferenz-ICs
Verstärker
Reset-Detektor-IC
Leistungsverstärker-IC
Infrarot-Verarbeitungs-IC
Schnittstellen-Chip
Bluetooth-Chip
Boost- und Buck-Chips
Zeitbasis-Chips
Takt-Kommunikations-Chips
Transceiver-IC
Drahtloser HF-IC
Chip-Widerstand
Speicher-Chip 2
Ethernet-Chip
Integrierte Schaltkreise Elektronische Komponenten
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip 1
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip 2
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip 3
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip 4
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