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MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip

Produktdetails

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: ALL BRAND

Modellnummer: IRFP260N

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Min Bestellmenge: 100 Stück

Preis: $2.00/pieces >=100 pieces

Verpackung Informationen: Spule oder Rohr

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000-teilig/Stücke pro Tag

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Typ:
MOSFET, Feldwirkungstransistor, IC-Chips
Betriebstemperatur:
c
Typ der Montage:
Durchs Loch
Beschreibung:
c5200 a1943
D/C:
N/A
Art der Packung:
Während des Lochs
Anwendung:
Universeller Zweck
Lieferantenart:
Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur, Einzelhändler, anderer
Medien verfügbar:
Datenblatt, Foto, EDA/CAD modelliert, anderes
Marke:
Mosfet-Transistor
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
Standards
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
A
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
Standards
Macht- maximales:
W
Frequenz - Übergang:
Hz
Packung / Gehäuse:
Zu-247/zu-3p
Widerstand - Basis (R1):
Standards
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
Standards
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):
Standards
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:
Standards
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:
Standards
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:
Standards
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:
Standards
Häufigkeit:
Standards
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
A
Rauschmaß:
Standards
Leistungsabgabe:
W
Spannung - bewertet:
V
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standards
Vgs (maximal):
Standards
IGBT-Art:
Standards
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
Standards
Eingabe:
Standards
NTC-Thermistor:
Standards
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standards
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standards
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standards
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standards
Widerstand - RDS (an):
Standards
Spannung:
Standards
Spannung - Ertrag:
Standards
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standards
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standards
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standards
Gegenwärtig - Spitze:
Standards
Anwendungen:
Standards
Transistor-Art:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 50 W
Produktbezeichnung:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 10 W
Hafen:
Zürich
Typ:
MOSFET, Feldwirkungstransistor, IC-Chips
Betriebstemperatur:
c
Typ der Montage:
Durchs Loch
Beschreibung:
c5200 a1943
D/C:
N/A
Art der Packung:
Während des Lochs
Anwendung:
Universeller Zweck
Lieferantenart:
Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur, Einzelhändler, anderer
Medien verfügbar:
Datenblatt, Foto, EDA/CAD modelliert, anderes
Marke:
Mosfet-Transistor
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
A
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal):
V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC:
Standards
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
A
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce:
Standards
Macht- maximales:
W
Frequenz - Übergang:
Hz
Packung / Gehäuse:
Zu-247/zu-3p
Widerstand - Basis (R1):
Standards
Widerstand - Emitter-Basis (R2):
Standards
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):
Standards
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:
Standards
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:
Standards
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:
Standards
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:
Standards
Häufigkeit:
Standards
Gegenwärtige Bewertung (Ampere):
A
Rauschmaß:
Standards
Leistungsabgabe:
W
Spannung - bewertet:
V
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):
Standards
Vgs (maximal):
Standards
IGBT-Art:
Standards
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
Standards
Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:
Standards
Eingabe:
Standards
NTC-Thermistor:
Standards
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
Standards
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Standards
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
Standards
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
Standards
Widerstand - RDS (an):
Standards
Spannung:
Standards
Spannung - Ertrag:
Standards
Spannung - Ausgleich (Vt):
Standards
Gegenwärtig - Tor zum Anoden-Durchsickern (Igao):
Standards
Gegenwärtig - Tal (iv):
Standards
Gegenwärtig - Spitze:
Standards
Anwendungen:
Standards
Transistor-Art:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 50 W
Produktbezeichnung:
Transistoren mit einer Leistung von mehr als 10 W
Hafen:
Zürich
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip

Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Willkommen in unserem Unternehmen! Wir sind Ihre All-in-One-Quelle für elektronische Komponenten. Unser Fachwissen liegt in der Bereitstellung einer Vielzahl von elektronischen Komponenten, die Ihren unterschiedlichen Anforderungen entsprechen.Wir bieten:- Halbleiter: Mikrocontroller, Transistoren, Dioden, integrierte Schaltungen (IC) - Passive Komponenten: Widerstände, Kondensatoren, Induktoren, Steckverbinder - Elektromechanische Komponenten: Schalter,Relais, Sensorantriebe - Stromversorgung: Spannungsregler, Leistungsumrichter, Batterieverwaltung - Optoelektronik: LEDs, Laser, Photodioden, optische Sensoren - HF- und drahtlose Komponenten: HF-Module,Antennen, drahtlose Kommunikation - Sensoren: Temperatursensoren, Bewegungssensoren, Umgebungssensoren.
MOSFET-Transistor IRFP260N irfp260 TO-247 ic-Chip 0

Typ: Integrierte Schaltungen Elektronische Komponenten
DC22+
MOQ: 1 Stück
Verpackung: Standard
Die Bandbreite der funktionellen Chips ist breit und deckt viele verschiedene Anwendungsbereiche ab, wie Kommunikation, Bildverarbeitung, Sensorsteuerung, Audioverarbeitung, Energiemanagement und mehr.
Wir haben Chips.



Integrierte Schaltungen Elektronische Bauteile
Vergleiche-ICs
Encoder-Decoder
Berührungsschaltflächen
Spannungsreferenz-ICs
Verstärker
Wiederherstellen des Detektor-IC
Leistungsverstärker-IC
Infrarotverarbeitung IC
Schnittstellen-Chip
Bluetooth-Chip
Boost und Buck Chips
Zeitbasischips
Uhr-Kommunikationschips
Transceiver-IC
Wireless RF IC
Chip-Widerstand
Speicherchip 2
Ethernet-Chip
Integrierte Schaltungen Elektronische Komponenten
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